Počet záznamů: 1
Picosecond infrared laser crystallization of Ge layers in Ge/Si multi-nanolayers for optoelectronic applications
- 1.
SYSNO 0556457 Název Picosecond infrared laser crystallization of Ge layers in Ge/Si multi-nanolayers for optoelectronic applications Tvůrce(i) Volodin, V.A. (RU)
Krivyakin, G.K. (RU)
Bulgakov, Alexander V. (FZU-D) ORCID
Levy, Yoann (FZU-D) ORCID, RID
Beránek, Jiří (FZU-D)
Nagisetty, Siva S. (FZU-D)
Bryknar, Z. (CZ)
Bulgakova, Nadezhda M. (FZU-D) ORCID, RID
Geydt, P.V. (RU)
Popov, A. A. (RU)Zdroj.dok. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. - Bellingham : SPIE, 2022 / Lukichev V.F. ; Rudenko K.V. Konference International Conference on Micro- and Nano-Electronics /14./, 04.10.2021 - 08.10.2021, Zvenigorod Číslo článku 1215702 Druh dok. Konferenční příspěvek (zahraniční konf.) Grant CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_003/0000445, XE - země EU EF15_003/0000445 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CZ.02.1.01/0.0/0.0/15_006/0000674, XE - země EU EF15_006/0000674 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LO1602 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova Ge/Si multi-nanolayers * picosecond infrared pulsed laser annealing * Raman spectroscopy * nonlinear efffects in light absorption URL https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/12157/2622731/Picosecond-infrared-laser-crystallization-of-Ge-layers-in-Ge-Si/10.1117/12.2622731.short Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0330692
Počet záznamů: 1