- Picosecond infrared laser crystallization of Ge layers in Ge/Si multi…
Počet záznamů: 1  

Picosecond infrared laser crystallization of Ge layers in Ge/Si multi-nanolayers for optoelectronic applications

  1. 1.
    Volodin, V.A., Krivyakin, G.K., Bulgakov, A. V., Levy, Y., Beránek, J., Nagisetty, S. S., Bryknar, Z., Bulgakova, N. M., Geydt, P.V., Popov, A. A. Picosecond infrared laser crystallization of Ge layers in Ge/Si multi-nanolayers for optoelectronic applications. In: LUKICHEV, V.F., RUDENKO, K.V., eds. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. Bellingham: SPIE, 2022, č. článku 1215702. ISSN 0277-786X. Dostupné z: https://doi.org/10.1117/12.2622731.
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.