- Defect structures in (001) zincblende GaN/3C-SiC nucleation layers
Počet záznamů: 1  

Defect structures in (001) zincblende GaN/3C-SiC nucleation layers

  1. 1.
    VACEK, Petr, FRENTRUP, M., LEE, L. Y., MASSABUAU, Fabien C. P., KAPPERS, Menno J., WALLIS, David J., GRÖGER, Roman, OLIVER, Rachel A. Defect structures in (001) zincblende GaN/3C-SiC nucleation layers. Journal of Applied Physics. 2021, 129(15), 155306. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550. Dostupné z: https://doi.org/10.1063/5.0036366.
Počet záznamů: 1  

Metadata v repozitáři ASEP jsou licencována pod licencí CC0.

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.