Počet záznamů: 1
Synthesis of Cu-Ti thin film multilayers on silicon substrates
- 1.
SYSNO ASEP 0541428 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Synthesis of Cu-Ti thin film multilayers on silicon substrates Tvůrce(i) Torrisi, Alfio (UJF-V) RID, ORCID
Horák, Pavel (UJF-V) RID, ORCID
Vacík, Jiří (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Lavrentiev, Vasyl (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Cannavó, Antonino (UJF-V) ORCID, SAI
Ceccio, Giovanni (UJF-V) ORCID, RID, SAI
Vaniš, Jan (URE-Y) RID
Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Grym, Jan (URE-Y)Celkový počet autorů 9 Číslo článku 50 Zdroj.dok. Bulletin of Materials Science. - : Indian Academy of Sciences - ISSN 0250-4707
Roč. 44, č. 1 (2021)Poč.str. 8 s. Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. IN - Indie Klíč. slova chemiresistors ; intermixing layers ; thermal annealing ; SIMS analysis ; Cu-Ti Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače Obor OECD Materials engineering Vědní obor RIV – spolupráce Ústav fotoniky a elektroniky - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA19-02804S GA ČR - Grantová agentura ČR Výzkumná infrastruktura CANAM II - 90056 - Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i. Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora URE-Y - RVO:67985882 ; UJF-V - RVO:61389005 UT WOS 000621448300001 EID SCOPUS 85101679529 DOI 10.1007/s12034-020-02346-6 Anotace Metal-oxide-based sensors (MOS) can be used for several technological applications in microelectronics, due to their low cost and sensitive capabilities to different chemical species. On the perspective to develop CuO-TiO2 MOS, our goal was to obtain a homogeneous intermixing of Cu and Ti in the bulk structure of the detectors, exploring the most promising combination between such elements and avoiding the presence of Cu-Ti-O compounds. To do that, several Cu and Ti thin layers were alternatively deposited by Ar+ sputtering on silicon wafers and, subsequently, oxidized by thermal annealing. The obtained samples were characterized in terms of %at. Cu-Ti ratios (by RBS and SIMS analyses) and morphology (by AFM and SEM investigations), showing the abundance ratios of such elements in the whole structure. In particular, SIMS maps allowed to study the spatial distribution and thickness of each phase of the Cu-Ti multilayers and further to observe the Cu diffusion and the mixing with Ti, as well as phase separation of CuO and TiO2 in the samples. This unwanted effect represents an open issue that has to be investigated, in order to improve the MOS fabrication. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2022 Elektronická adresa https://doi.org/10.1007/s12034-020-02346-6
Počet záznamů: 1