Measurements of single event upset in ATLAS IBL

Balbi, G.; Barbero, M.; Beccherle, R.; Bindi, M.; Breugnon, P.; Butti, P.; Cinca, D.; Dickinson, J.; Ferrere, D.; Fougeron, D.; Garcia-Sciveres, M.; Pascual, J.G.; Gaudiello, A.; Gemme, C.; Giangiacomi, N.; Hemperek, T.; Jeanty, L.; Kepka, Oldřich; Kocian, M.; Lantzsch, K.; Liu, P.; Martin, C.; Mekkaoui, A.; Menouni, M.; Potamianos, K.; Rozanov, A.; Takubo, Y.; Wensing, M.

doi:https://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/15/06/P06023

Počet záznamů: 1

Measurements of single event upset in ATLAS IBL

1.

SYSNO ASEP	0539534
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Measurements of single event upset in ATLAS IBL
Tvůrce(i)	Balbi, G. (IT) Barbero, M. (DE) Beccherle, R. (IT) Bindi, M. (DE) Breugnon, P. (FR) Butti, P. (CH) Cinca, D. (DE) Dickinson, J. (US) Ferrere, D. (CH) Fougeron, D. (FR) Garcia-Sciveres, M. (US) Pascual, J.G. (CN) Gaudiello, A. (IT) Gemme, C. (IT) Giangiacomi, N. (IT) Hemperek, T. (DE) Jeanty, L. (US) Kepka, Oldřich (FZU-D)_{RID, ORCID} Kocian, M. (US) Lantzsch, K. (DE) Liu, P. (US) Martin, C. (US) Mekkaoui, A. (US) Menouni, M. (FR) Potamianos, K. (US) Rozanov, A. (FR) Takubo, Y. (JP) Wensing, M. (DE)
Celkový počet autorů	28
Číslo článku	P06023
Zdroj.dok.	Journal of Instrumentation. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 1748-0221 Roč. 15, č. 6 (2020), s. 1-30
Poč.str.	30 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	GB - Velká Británie
Klíč. slova	semiconductor detector: pixel ; noise ; ATLAS ; electronics: readout
Vědní obor RIV	BF - Elementární částice a fyzika vys. energií
Obor OECD	Particles and field physics
CEP	LTT17018 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Výzkumná infrastruktura	CERN-CZ II - 90104 - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Způsob publikování	Open access
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
UT WOS	000545350900023
EID SCOPUS	85088516061
DOI	10.1088/1748-0221/15/06/P06023
Anotace	Effects of Single Event Upsets (SEU) and Single Event Transients (SET) are studied in the FE-I4B chip of the innermost layer of the ATLAS pixel system. SEU/SET affect the FE-I4B Global Registers as well as the settings for the individual pixels, causing, among other things, occupancy losses, drops in the low voltage currents, noisy pixels, and silent pixels. Quantitative data analysis and simulations indicate that SET dominate over SEU on the load line of the memory. Operational issues and mitigation techniques are presented.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2021
Elektronická adresa	http://hdl.handle.net/11104/0317254

Počet záznamů: 1