Počet záznamů: 1  

Nitride semiconductors - properties and applications

  1. 1.
    SYSNO ASEP0537995
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevNitride semiconductors - properties and applications
    Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Hájek, František (FZU-D) ORCID
    Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
    Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
    Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
    Celkový počet autorů6
    Zdroj.dok.20th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings. - Košice : Slovak Physical Society, Czech Physical Society, 2020 / Džubinská A. ; Reiffers M. - ISBN 978-80-89855-13-1
    Rozsah strans. 32-36
    Poč.str.5 s.
    Forma vydáníOnline - E
    AkceConference of Czech and Slovak Physicists /20./
    Datum konání07.09.2020 - 10.09.2020
    Místo konáníPrague
    ZeměCZ - Česká republika
    Typ akceEUR
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.SK - Slovensko
    Klíč. slovanitride semiconductors ; applications ; LED ; HEMT
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPLO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    AnotaceNitrogen became very important for semiconductor industry in last thirty years and many new light emitting or electronic applications are based on nitride semiconductors, such as blue or UV light emitting diodes (LEDs), laser diodes (LDs) or high electron mobility transistors (HEMTs) used for high power and high frequency applications. Very tough competition takes place in the field of electromobility where the winner is not decided, yet. However, a big increase is expected in GaN production connected with the new 5G network. Higher bandwidth will enable higher capacity, which means increased number of connected devices. This network will therefore have higher power requirements. GaN based HEMT circuits are supposed to be essential for 5G base stations.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2021
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.