Počet záznamů: 1
GaP/Si(001) interface study by XPS in combination with Ar gas cluster ion beam sputtering
- 1.
SYSNO 0536206 Název GaP/Si(001) interface study by XPS in combination with Ar gas cluster ion beam sputtering Tvůrce(i) Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
Gordeev, Ivan (FZU-D) ORCID
Paszuk, A. (DE)
Supplie, O. (DE)
Stoeckmann, J.P. (DE)
Houdková, Jana (FZU-D) RID, ORCID
Ukraintsev, Egor (FZU-D) RID, ORCID
Bartoš, Igor (FZU-D) RID, ORCID
Jiříček, Petr (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hannappel, T. (DE)Korespondující/senior Romanyuk, Olexandr - Korespondující autor Zdroj.dok. Applied Surface Science. Roč. 514, Jun (2020), s. 1-8. - : Elsevier Číslo článku 145903 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika LM2015088 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika GC18-06970J GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova GaP/Si heterostructure * buried interface analysis * XPS * depth profiling * gas cluster ion beam sputtering * interface core level shifts URL https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.145903 Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0314015
Počet záznamů: 1