Počet záznamů: 1
GaP/Si(001) interface study by XPS in combination with Ar gas cluster ion beam sputtering
- 1.
SYSNO ASEP 0536206 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název GaP/Si(001) interface study by XPS in combination with Ar gas cluster ion beam sputtering Tvůrce(i) Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
Gordeev, Ivan (FZU-D) ORCID
Paszuk, A. (DE)
Supplie, O. (DE)
Stoeckmann, J.P. (DE)
Houdková, Jana (FZU-D) RID, ORCID
Ukraintsev, Egor (FZU-D) RID, ORCID
Bartoš, Igor (FZU-D) RID, ORCID
Jiříček, Petr (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hannappel, T. (DE)Celkový počet autorů 10 Číslo článku 145903 Zdroj.dok. Applied Surface Science. - : Elsevier - ISSN 0169-4332
Roč. 514, Jun (2020), s. 1-8Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova GaP/Si heterostructure ; buried interface analysis ; XPS ; depth profiling ; gas cluster ion beam sputtering ; interface core level shifts Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2015088 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GC18-06970J GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000523185200046 EID SCOPUS 85080891661 DOI 10.1016/j.apsusc.2020.145903 Anotace THere we applied gas cluster ion beam sputtering in combination with in-situ XPS (GCIB-XPS) to analyze buried GaP/Si(001) heterointerfaces. The GCIB method was used to dig a crater into the 20 nm thick GaP(001) film. We found optimal parameters for GCIB sputtering and achieved interface layers without severe damage. Destructive effects, i.e. broadening of core level peaks, could not be completely avoided, however, and the formation of metallic Ga on the GaP surface was observed. Photoemission spectra of the sputtered heterostructures were compared with corresponding reference spectra of sputtered bulk crystals. Interface contributions to the intensity of phosphorus and sillicon core level peaks were revealed. Similar results were obtained on 4 nm thick GaP/Si(001) by XPS. Finally, a top-to-bottom concept for buried semiconductor interfaces studies by GCIB-XPS is demonstrated. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2021 Elektronická adresa https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.145903
Počet záznamů: 1