Počet záznamů: 1
GaP/Si(001) interface study by XPS in combination with Ar gas cluster ion beam sputtering
- 1.0536206 - FZÚ 2021 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Gordeev, Ivan - Paszuk, A. - Supplie, O. - Stoeckmann, J.P. - Houdková, Jana - Ukraintsev, Egor - Bartoš, Igor - Jiříček, Petr - Hannappel, T.
GaP/Si(001) interface study by XPS in combination with Ar gas cluster ion beam sputtering.
Applied Surface Science. Roč. 514, Jun (2020), s. 1-8, č. článku 145903. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760; GA MŠMT(CZ) LM2015088; GA ČR GC18-06970J
Grant ostatní: OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaP/Si heterostructure * buried interface analysis * XPS * depth profiling * gas cluster ion beam sputtering * interface core level shifts
Obor OECD: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Impakt faktor: 6.707, rok: 2020
Způsob publikování: Omezený přístup
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.145903
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0314015
Počet záznamů: 1