Počet záznamů: 1  

Electronic structure engineering achieved via organic ligands in silicon nanocrystals

  1. 1.
    SYSNO ASEP0534731
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevElectronic structure engineering achieved via organic ligands in silicon nanocrystals
    Tvůrce(i) Dohnalová, K. (NL)
    Hapala, Prokop (FZU-D) RID, ORCID
    Kůsová, Kateřina (FZU-D) RID, ORCID
    Infante, I. (NL)
    Celkový počet autorů4
    Zdroj.dok.Chemistry of Materials. - : American Chemical Society - ISSN 0897-4756
    Roč. 32, č. 15 (2020), s. 6326-6337
    Poč.str.12 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovasilicon nanocrystals ; surface ligand ; theoretical calculations ; bandstructure ; radiative rates
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPEF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    GA18-05552S GA ČR - Grantová agentura ČR
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000562136900006
    EID SCOPUS85092106696
    DOI10.1021/acs.chemmater.0c00443
    Anotacewe use the self-consistent density functional theory (DFT) simulation together with a 'fuzzy' band-structure concept to show the effect of covalently bonded ligands on the electronic structure of NCs and their k⃗-space projection. For instance, in 2 nm large SiNCs with C-linked organic ligands, we demonstrate that radiative rates can be manipulated by ligands to a considerable extent through an intricate interplay between charge transfer from the core to the ligand, orbital delocalization, and strain by steric hindrance. The role the thermal population of states plays in the overall radiative rates is also discussed in detail.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2021
    Elektronická adresahttp://hdl.handle.net/11104/0312910
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.