Počet záznamů: 1
Electronic structure engineering achieved via organic ligands in silicon nanocrystals
- 1.
SYSNO ASEP 0534731 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Electronic structure engineering achieved via organic ligands in silicon nanocrystals Tvůrce(i) Dohnalová, K. (NL)
Hapala, Prokop (FZU-D) RID, ORCID
Kůsová, Kateřina (FZU-D) RID, ORCID
Infante, I. (NL)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Chemistry of Materials. - : American Chemical Society - ISSN 0897-4756
Roč. 32, č. 15 (2020), s. 6326-6337Poč.str. 12 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova silicon nanocrystals ; surface ligand ; theoretical calculations ; bandstructure ; radiative rates Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA18-05552S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000562136900006 EID SCOPUS 85092106696 DOI 10.1021/acs.chemmater.0c00443 Anotace we use the self-consistent density functional theory (DFT) simulation together with a 'fuzzy' band-structure concept to show the effect of covalently bonded ligands on the electronic structure of NCs and their k⃗-space projection. For instance, in 2 nm large SiNCs with C-linked organic ligands, we demonstrate that radiative rates can be manipulated by ligands to a considerable extent through an intricate interplay between charge transfer from the core to the ligand, orbital delocalization, and strain by steric hindrance. The role the thermal population of states plays in the overall radiative rates is also discussed in detail. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2021 Elektronická adresa http://hdl.handle.net/11104/0312910
Počet záznamů: 1