Počet záznamů: 1
Laser-induced crystallization of anodic TiO.sub.2./sub. nanotube layers
- 1.
SYSNO ASEP 0533549 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Laser-induced crystallization of anodic TiO2 nanotube layers Tvůrce(i) Sopha, H. (CZ)
Mirza, M. Inam (FZU-D) ORCID
Turčičová, Hana (FZU-D) RID, ORCID
Pavliňák, D. (CZ)
Michalička, J. (CZ)
Krbal, M. (CZ)
Rodriguez-Pereira, J. (CZ)
Hromádko, L. (CZ)
Novák, Ondřej (FZU-D) RID, ORCID
Mužík, Jiří (FZU-D) ORCID
Smrž, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Kolíbalová, E. (CZ)
Goodfriend, Nathan (FZU-D) ORCID
Bulgakova, Nadezhda M. (FZU-D) ORCID, RID
Mocek, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Macák, J. M. (CZ)Celkový počet autorů 16 Zdroj.dok. RSC Advances. - : Royal Society of Chemistry - ISSN 2046-2069
Roč. 10, č. 37 (2020), s. 22137-22145Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova crystallization ; TiO2 ; nanotube ; TNT ; X-ray diffraction ; HRTEM Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery Obor OECD Optics (including laser optics and quantum optics) CEP EF15_003/0000445 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy EF15_006/0000674 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LO1602 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2015086 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000542724200048 EID SCOPUS 85086805974 DOI https://doi.org/10.1039/d0ra02929g Anotace In this study, crystallization of amorphous TiO2 nanotube (TNT) layers upon optimized laser annealing is shown. The resulting anatase TNT layers do not show any signs of deformation or melting. The crystallinity of the laser annealed TNT layers was investigated using X-ray diffraction, Raman spectroscopy, and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The study of the (photo-) electrochemical properties showed that the laser annealed TNT layers were more defective than conventional TNT layers annealed in a muffle oven at 400 C, resulting in a higher charge recombination rate and lower photocurrent response. However, a lower overpotential for hydrogen evolution reaction was observed for the laser annealed TNT layer compared to the oven annealed TNT layer. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2021 Elektronická adresa http://hdl.handle.net/11104/0311915
Počet záznamů: 1