- Rippled Metallic-Nanowire/Graphene/Semiconductor Nanostack for a Gate…
Počet záznamů: 1  

Rippled Metallic-Nanowire/Graphene/Semiconductor Nanostack for a Gate-Tunable Ultrahigh-Performance Stretchable Phototransistor

  1. 1.
    Haider, Golam - Wang, Y. H. - Farjana, Jaishmin Sonia - Chiang, Ch.-W. - Frank, Otakar - Vejpravová, J. - Kalbáč, Martin - Chen, Y.-F.
    Rippled Metallic-Nanowire/Graphene/Semiconductor Nanostack for a Gate-Tunable Ultrahigh-Performance Stretchable Phototransistor.
    Advanced Optical Materials. Roč. 8, č. 19 (2020), č. článku 2000859. ISSN 2195-1071. E-ISSN 2195-1071
    R&D Projects: GA ČR(CZ) GX20-08633X; GA MŠMT(CZ) EF16_027/0008355; GA MŠMT(CZ) LTAUSA19001; GA MŠMT EF16_026/0008382
    Grant - others:Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy - GA MŠk(CZ) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_026/0008382
    OECD category: Physical chemistry
    Impact factor: 9.926, year: 2020 ; AIS: 2.141, rok: 2020
    Method of publishing: Limited access
    DOI: https://doi.org/10.1002/adom.202000859
    http://hdl.handle.net/11104/0311556
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.