Počet záznamů: 1
Investigation of optical properties and defects structure of rare earth (Sm, Gd, Ho) doped zinc oxide thin films prepared by pulsed laser deposition
- 1.
SYSNO ASEP 0532662 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Investigation of optical properties and defects structure of rare earth (Sm, Gd, Ho) doped zinc oxide thin films prepared by pulsed laser deposition Tvůrce(i) Novotný, Michal (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hruška, Petr (FZU-D) ORCID
Fitl, Přemysl (FZU-D) RID, ORCID
Marešová, Eva (FZU-D) ORCID
Havlová, Šárka (FZU-D) ORCID
Bulíř, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Fekete, Ladislav (FZU-D) RID, ORCID
Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Vrňata, M. (CZ)
Čížek, J. (CZ)
Liedke, M.O. (DE)
Lančok, Ján (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 12 Zdroj.dok. Acta Physica Polonica A. - : Polska Akademia Nauk - ISSN 0587-4246
Roč. 137, č. 2 (2020), s. 215-218Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. PL - Polsko Klíč. slova zinc oxide ; rare earth ; samarium ; gadolininum ; holmium ; pulsed laser deposition ; positron annihilation spectroscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Coating and films Vědní obor RIV – spolupráce Ústav fotoniky a elektroniky - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP EF16_013/0001406 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LO1409 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2015088 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA18-17834S GA ČR - Grantová agentura ČR Způsob publikování Open access Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 ; URE-Y - RVO:67985882 UT WOS 000529332100032 EID SCOPUS 85083841024 DOI 10.12693/APhysPolA.137.215 Anotace Rare earths (RE = Sm, Gd, Ho) doped ZnO thin films were grown by pulsed laser deposition in oxygen ambient at room temperature. A good optical quality of the films was confirmed by transmittance measurement in the visible spectral region. Photoluminescence suggested RE3+ oxidation state as confirmed at ZnO:Sm, where local structure was inhomogeneous. ZnO:Sm film exhibited the highest electrical resistivity while ZnO:Ho the lowest. Nanocrystalline structure of the films was observed by atomic force microscopy and X-ray diffraction. Defects structure was examined by variable energy positron annihilation spectroscopy. All ZnO:RE films exhibited significantly higher values of the S parameter as well as shorter positron diffusion lengths compared to ZnO monocrystal reference due to trapping of positrons at open volumes associated with grain boundaries. We observed the impact of the type of RE dopant on optical and electrotransport properties while the defect structure remained unchanged. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2021 Elektronická adresa https://doi.org/10.12693/APhysPolA.137.215
Počet záznamů: 1