Počet záznamů: 1

Koloidní difuzní zdroj bóru pro přípravu dotovaného křemíku typu P

SYSNO ASEP	0523531
Druh ASEP	P1 - Užitný vzor, průmyslový vzor
Zařazení RIV	F - Výsledky s právní ochranou (užitný vzor, průmyslový vzor)
Poddruh RIV	Užitný vzor
Název	Koloidní difuzní zdroj bóru pro přípravu dotovaného křemíku typu P
Překlad názvu	Colloidal boron diffusion source for the preparation of doped P-type silicon
Tvůrce(i)	Mrázek, Jan (URE-Y)_{RID, ORCID}
Rok vydání	2019
Forma vydání	Tištěná - P
Vlastník vzoru	Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Sídlo	Chaberská 1014/57, 182 00 Praha 8, Kobylisy
Datum udělení vzoru	30.09.2019
Číslo vzoru	33261
Lic. popl.	Z - Poskytovatel licence nepožaduje v některých případech licenční poplatek
Využití	A - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem
Využití jiným subjektem	P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence
Kód vydavatele patentu	CZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague
Jazyk dok.	cze - čeština
Klíč. slova	semiconductor ; boron ; colloid
Vědní obor RIV	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Obor OECD	Electrical and electronic engineering
CEP	FV30151 GA MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu
Institucionální podpora	URE-Y - RVO:67985882
Anotace	Technické řešení se týká složení koloidního difuzního zdroje bóru pro přípravu dotovaného křemíku typu P
Překlad anotace	The utility model relates to the composition of a colloidal diffusion source of boron for the preparation of doped P-type silicon
Pracoviště	Ústav fotoniky a elektroniky
Kontakt	Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488
Rok sběru	2020
Elektronická adresa	http://hdl.handle.net/11104/0307887

Počet záznamů: 1