Počet záznamů: 1
Relation between optical and microscopic properties of hydrogenated silicon thin films with integrated germanium and tin nanoparticles
- 1.
SYSNO ASEP 0522709 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Relation between optical and microscopic properties of hydrogenated silicon thin films with integrated germanium and tin nanoparticles Tvůrce(i) Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
Čermák, Jan (FZU-D) RID, SAI, ORCID
Kupčík, Jaroslav (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Fajgar, Radek (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 6 Zdroj.dok. NANOCON 2018 : Conference Proceedings of the International Conference on Nanomaterials - Research & Application /10./. - Ostrava : Tanger Ltd., 2019 / Shrbená J. - ISBN 978-80-87294-89-5 Rozsah stran s. 83-87 Poč.str. 5 s. Forma vydání Tištěná - P Akce NANOCON 2018 -International Conference on Nanomaterials - Research and Application /10./ Datum konání 17.10.2018 - 19.10.2018 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova thin films ; a-Si:H ; nanoparticles ; germanium ; tin Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LTC17029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GC16-10429J GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 ; UCHP-M - RVO:67985858 UT WOS 000513131900014 EID SCOPUS 85062975289 Anotace The hydrogenated amorphous silicon layers (a-Si:H) were deposited by PECVD method on quartz substrates. During interruption of PECVD process the vacuum chamber was pumped up to 10-5 Pa and 1 nm thin films of Germanium or Tin were evaporated on the surface. The materials form isolated nanoparticles (NPs) on the a-Si:H surface. Then the deposited NPs were covered and stabilized by a-Si:H layer by PECVD. Those two deposition processes were alternated 5 times. The a-Si:H thin films with integrated Ge or Sn NPs were characterized optically by PDS and CPM methods, and microscopically by SEM and AFM microscopies. Optical and microscopic properties of the structures are correlated and discussed considering their application in photovoltaics.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2022
Počet záznamů: 1