Počet záznamů: 1
Improvement of GaN crystalline quality by SiN.sub.x./sub. layer grown by MOVPE
SYS 0520842 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20240103223545.3 014 $a 85078539856 $2 SCOPUS 014 $a 000505595100002 $2 WOS 017 $a 10.3952/physics.v59i4.4134 $2 DOI 100 $a 20200124d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a LT 200 1-
$a Improvement of GaN crystalline quality by SiNx layer grown by MOVPE 215 $a 8 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0296065 $1 011 $a 1648-8504 $e 1648-8504 $1 200 1 $a Lithuanian Journal of Physics $v Roč. 59, č. 4 (2019), s. 179-186 $1 210 $c Lithuanian Academy of Sciences Publishers 610 $a dislocations 610 $a MOVPE 610 $a GaN 610 $a SiNx 610 $a photoluminescence 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0373224 $a Slavická Zíková $b Markéta $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $z K $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0367329 $a Hájek $b František $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0296532 $a Dominec $b Filip $p FZU-D $i Dielektrika $j Dielectrics $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0240734 $a Vetushka $b Aliaksi $p FZU-D $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $w Thin Films and Nanostructures $y CZ $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0388186 $a Hasenöhrl $b S. $y SK 856 $9 RIV $u http://hdl.handle.net/11104/0305500
Počet záznamů: 1