Počet záznamů: 1
Vacancies in SnSe single crystals in a near-equilibrium state
- 1.
SYSNO ASEP 0519172 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Vacancies in SnSe single crystals in a near-equilibrium state Tvůrce(i) Sraitrova, K. (CZ)
Čížek, J. (CZ)
Holý, V. (CZ)
Plecháček, T. (CZ)
Beneš, L. (CZ)
Jarošová, Markéta (FZU-D) RID, ORCID
Kucek, V. (CZ)
Drašar, Č. (CZ)Celkový počet autorů 8 Číslo článku 035306 Zdroj.dok. Physical Review B. - : American Physical Society - ISSN 2469-9950
Roč. 99, č. 3 (2019), s. 1-11Poč.str. 11 s. Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova crystal structure ; SnSe ; positron-annihilation ; intrinsic vacancies Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000456031900004 EID SCOPUS 85060385034 DOI 10.1103/PhysRevB.99.035306 Anotace The development of intrinsic vacancies in SnSe single crystals was investigated as a function of annealing temperature by means of positron annihilation spectroscopy accompanied by transport measurements. It has been demonstrated that two types of vacancies are present in single-crystalline SnSe. While Sn vacancies dominate in the low-temperature region, Se vacancies and vacancy clusters govern the high-temperature region. The experiments show that Sn vacancies couple with one or more Se vacancies with increasing temperature to form vacancy clusters. The clusters survive the transition at about 800 K and even grow in size with temperature. The concentration of both Se vacancies and vacancy clusters increases with temperature, similar to thermoelectric performance. This indicates that the extraordinary thermoelectric properties of SnSe are related to point defects. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020 Elektronická adresa https://doi.org/10.1103/physrevb.99.035306
Počet záznamů: 1