Počet záznamů: 1
Study of charge carrier trapping by EPR and TSL methods in Zn.sub.x./sub.Mg.sub.1-x./sub.WO.sub.4./sub. single crystals
- 1.
SYSNO ASEP 0517932 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Study of charge carrier trapping by EPR and TSL methods in ZnxMg1-xWO4 single crystals Tvůrce(i) Krutyak, N. (RU)
Spassky, D.A. (RU)
Nagirnyi, V. (EE)
Buryi, Maksym (FZU-D) RID, ORCID
Tupitsyna, I. (UA)
Dubovik, A. (UA)Celkový počet autorů 6 Číslo článku 109362 Zdroj.dok. Optical Materials. - : Elsevier - ISSN 0925-3467
Roč. 96, Oct (2019), s. 1-8Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova zinc tungstate ; magnesium tungstate ; mixed crystals ; charge carrier trapping ; EPR ; TSL Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP EF16_013/0001406 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LO1409 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Omezený přístup Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000496866100093 EID SCOPUS 85072022210 DOI https://doi.org/10.1016/j.optmat.2019.109362 Anotace Charge carrier trapping was studied using EPR and TSL methods in ZnWO4, MgWO4 and mixed ZnxMg1-xWO4 crystals. An electron trapped at a perturbed W site was detected in MgWO4. It was also shown that holes are trapped at oxygen ions thus forming O− centers. Two different O- centers, one perturbed by a cation vacancy, another by Al impurity, were found in MgWO4, while a single hole center perturbed by Cd impurity and hydroxyl group nearby was detected in ZnWO4. The number of non-equivalent hole centers increases up to five for the mixed crystals due to the perturbations induced by statistically distributed substitutional cations. It is shown that the thermal release of holes is accompanied by thermostimulated luminescence (TSL). The broadening of the TSL peaks typically observed in mixed crystals is connected with the increase of the number of non-equivalent trapping centers of the same type.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2020 Elektronická adresa https://doi.org/10.1016/j.optmat.2019.109362
Počet záznamů: 1