Počet záznamů: 1  

Optical contrast and raman spectroscopy techniques applied to few-layer 2d hexagonal boron nitride

  1. 1.
    SYSNO ASEP0517722
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevOptical contrast and raman spectroscopy techniques applied to few-layer 2d hexagonal boron nitride
    Tvůrce(i) Krečmarová, M. (ES)
    Andres-Penares, D. (ES)
    Fekete, Ladislav (FZU-D) RID, ORCID
    Ashcheulov, Petr (FZU-D) ORCID, RID
    Molina-Sánchez, A. (ES)
    Canet-Albiach, R. (ES)
    Gregora, Ivan (FZU-D) RID, ORCID
    Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
    Martínez-Pastor, J.P. (ES)
    Sánchez-Royo, J.F. (ES)
    Celkový počet autorů10
    Číslo článku1047
    Zdroj.dok.Nanomaterials. - : MDPI
    Roč. 9, č. 7 (2019), s. 1-10
    Poč.str.10 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CH - Švýcarsko
    Klíč. slovahexagonal boron nitride ; optical contrast ; Raman spectroscopy ; two-dimensional materials
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPLO1409 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    LM2015088 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Fellowship J. E. Purkyně GA AV ČR - Akademie věd
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000478992600135
    EID SCOPUS85073282934
    DOI10.3390/nano9071047
    AnotaceThe successful integration of few-layer thick hexagonal boron nitride (hBN) into devices based on two-dimensional materials requires fast and non-destructive techniques to quantify their thickness. Optical contrast methods and Raman spectroscopy have been widely used to estimate the thickness of two-dimensional semiconductors and semi-metals. However, they have so far not been applied to two-dimensional insulators. In this work, we demonstrate the ability of optical contrast techniques to estimate the thickness of few-layer hBN on SiO2/Si substrates, which was also measured by atomic force microscopy. Optical contrast of hBN on SiO2/Si substrates exhibits a linear trend with the number of hBN monolayers in the few-layer thickness range. We also used bandpass filters (500–650 nm) to improve the effectiveness of the optical contrast methods for thickness estimations.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2020
    Elektronická adresahttp://hdl.handle.net/11104/0303013
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.