Počet záznamů: 1  

Electrical and optical properties of scandium nitride nanolayers on MgO (100) substrate

  1. 1.
    SYSNO ASEP0509472
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevElectrical and optical properties of scandium nitride nanolayers on MgO (100) substrate
    Tvůrce(i) More Chevalier, Joris (FZU-D) ORCID
    Cichoň, Stanislav (FZU-D) RID, ORCID
    Bulíř, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Poupon, Morgane (FZU-D) ORCID
    Hubík, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
    Fekete, Ladislav (FZU-D) RID, ORCID
    Lančok, Ján (FZU-D) RID, ORCID
    Celkový počet autorů7
    Číslo článku015317
    Zdroj.dok.AIP Advances. - : AIP Publishing
    Roč. 9, č. 1 (2019), s. 1-7
    Poč.str.7 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovascandium nitride ; nanolayer ; epitaxial growth ; optical properties
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPLO1409 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    GA17-05770S GA ČR - Grantová agentura ČR
    Způsob publikováníOpen access
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000457407600112
    EID SCOPUS85060141226
    DOI10.1063/1.5056245
    AnotaceScandium nitride (ScN) is a rocksalt-structure semiconductor that has attracted attention for its potential applications in thermoelectric energy conversion devices, as a semiconducting component in epitaxial metal/semiconductor superlattices. ScN nanolayers of 30 nm thickness were deposited on MgO (001) substrate by reactive sputtering. Epitaxial growth of ScN(002) was observed with a mosaicity between grains around the {002} growth axis. Both direct band gaps theoretically predicted were measured at 2.59 eV and 4.25 eV for the energy gaps between the valence band and the conductance band at the X point and the Gamma point respectively.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2020
    Elektronická adresahttp://hdl.handle.net/11104/0300219
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.