Počet záznamů: 1
Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface
- 1.
SYSNO 0502838 Název Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface Tvůrce(i) Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Florini, N. (GR)
Komninou, Ph. (GR)
Ledoux, G. (FR)
Dujardin, C. (FR)Korespondující/senior Hospodková, Alice - Korespondující autor Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Roč. 507, Feb (2019), s. 310-315. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant LM2015087 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika 690599, XE - země EU Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova interfaces * MOVPE * quantum wells * nitrides * scintillators Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0294724 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0502838.pdf 3 1.3 MB Autorský postprint povolen
Počet záznamů: 1