Počet záznamů: 1
Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface
- 1.
SYSNO ASEP 0502838 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface Tvůrce(i) Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Florini, N. (GR)
Komninou, Ph. (GR)
Ledoux, G. (FR)
Dujardin, C. (FR)Celkový počet autorů 12 Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 507, Feb (2019), s. 310-315Poč.str. 6 s. Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova interfaces ; MOVPE ; quantum wells ; nitrides ; scintillators Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) CEP LM2015087 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access s časovým embargem (01.02.2021) Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000455667500051 EID SCOPUS 85057811376 DOI 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.038 Anotace This work concentrates on the technology procedure for growth of upper QW interfaces in InGaN/GaN QW structure when different temperature for QW and barrier epitaxy is used. We have found that optimal PL results were achieved, when the growth after QW formation was not interrupted, but immediately continued during the temperature ramp by the growth of (In)GaN capping layer with small introduction of In precursor into the reactor. Optimal barrier between QW with respect to PL results was found to be pure GaN. We have shown according to SIMS and HRTEM results that by this technological procedure the InGaN desorption was considerably suppressed and three times higher In concentration and two times thicker QWs were achieved for the same QW growth parameters without eterioration of PL intensity in comparison to sample with usually used thin GaN low temperature capping protection.
Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1