Počet záznamů: 1
Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device
- 1.
SYSNO ASEP 0493358 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device Tvůrce(i) Zhang, B. (CZ)
Zima, Vítězslav (UMCH-V) RID, ORCID
Mikysek, T. (CZ)
Podzemná, V. (CZ)
Rozsíval, P. (CZ)
Wágner, T. (CZ)Zdroj.dok. Journal of Materials Science-Materials in Electronics. - : Springer - ISSN 0957-4522
Roč. 29, č. 19 (2018), s. 16836-16841Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova resistive switching ; memory device ; materials for energy Vědní obor RIV CA - Anorganická chemie Obor OECD Inorganic and nuclear chemistry Institucionální podpora UMCH-V - RVO:61389013 UT WOS 000444763400073 EID SCOPUS 85051562627 DOI 10.1007/s10854-018-9778-5 Anotace A new type of memory device, based on Ag and Cu doped Ge2Se3 chalcogenide, was designed and investigated by a new method, referred to as “one pulse SET method”. The device shows multilevel resistance states. A resistance state between ON and OFF states was found with a wide range of bias. The multilevel resistance behavior could be caused by the formation and dissolution of Ag and Cu filaments. The energy-dispersive X-ray spectroscopy mapping and scanning electron microscope results prove the distribution of Cu and Ag elements in the film. Pracoviště Ústav makromolekulární chemie Kontakt Eva Čechová, cechova@imc.cas.cz ; Tel.: 296 809 358 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1