Počet záznamů: 1
Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device
- 1.Zhang, B. - Zima, Vítězslav - Mikysek, T. - Podzemná, V. - Rozsíval, P. - Wágner, T.
Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device.
Journal of Materials Science-Materials in Electronics. Roč. 29, č. 19 (2018), s. 16836-16841. ISSN 0957-4522. E-ISSN 1573-482X
Obor OECD: Inorganic and nuclear chemistry
Impakt faktor: 2.195, rok: 2018
http://hdl.handle.net/11104/0287314
Počet záznamů: 1