Počet záznamů: 1
Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device
- 1.ZHANG, B., ZIMA, V., MIKYSEK, T., PODZEMNÁ, V., ROZSÍVAL, P., WÁGNER, T. Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device. Journal of Materials Science-Materials in Electronics. 2018, 29(19), 16836-16841. ISSN 0957-4522. E-ISSN 1573-482X. Dostupné z: doi: 10.1007/s10854-018-9778-5
Počet záznamů: 1