- Electric-field-adjustable time-dependent magnetoelectric response in …
Počet záznamů: 1  

Electric-field-adjustable time-dependent magnetoelectric response in martensitic FeRh alloy

  1. 1.
    SYSNO ASEP0484694
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevElectric-field-adjustable time-dependent magnetoelectric response in martensitic FeRh alloy
    Tvůrce(i) Fina, I. (ES)
    Quintana, A. (ES)
    Padilla-Pantoja, J. (ES)
    Martí, Xavier (FZU-D) RID, ORCID
    Macià, F. (ES)
    Sánchez, F. (ES)
    Foerster, M. (ES)
    Aballe, L. (ES)
    Fontcuberta, J. (ES)
    Sort, J. (ES)
    Celkový počet autorů10
    Zdroj.dok.ACS Applied Materials and Interfaces. - : American Chemical Society - ISSN 1944-8244
    Roč. 9, č. 18 (2017), s. 15577-15582
    Poč.str.6 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovamagnetoelectric ; martensitic alloy ; multiferroic ; piezoelectric ; thin film
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPLM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    GB14-37427G GA ČR - Grantová agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000401307100040
    EID SCOPUS85019239235
    DOI https://doi.org/10.1021/acsami.7b00476
    AnotaceSteady or dynamic magnetoelectric response, selectable and adjustable by only varying the amplitude of the applied electric field, is found in a multiferroic FeRh/PMN-PT device. In-operando time-dependent structural, ferroelectric, and magnetoelectric characterizations provide evidence that, as in magnetic shape memory martensitic alloys, the observed distinctive magnetoelectric responses are related to the time-dependent relative abundance of antiferromagnetic–ferromagnetic phases in FeRh, unbalanced by voltage-controlled strain. This flexible magnetoelectric response can be exploited not only for energy-efficient memory operations but also in other applications, where multilevel and/or transient responses are required.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2018
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.