Počet záznamů: 1
Passivation effect of water vapour on thin film polycrystalline Si solar cells
- 1.
SYSNO ASEP 0469471 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Passivation effect of water vapour on thin film polycrystalline Si solar cells Tvůrce(i) Pikna, Peter (FZU-D) RID
Müller, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Becker, C. (DE)
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : Applications and Materials Science. - : Wiley - ISSN 1862-6300
Roč. 213, č. 7 (2016), s. 1969-1975Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova passivation, ; plasma hydrogenation ; silicon ; solar cells ; thin films ; water vapour Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LM2015087 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA13-12386S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000385222900048 EID SCOPUS 84992299642 DOI https://doi.org/10.1002/pssa.201533006 Anotace We investigated a passivation of both surface and bulk of polycrystalline silicon films by water vapour by Suns-VOC method to measure the open-circuit voltage. A sufficiently high temperature (350–450 °C) is necessary for a successful silicon passivation. Different gases were tested beside water vapour (H2, H2 + H2O, O2 + H2O, air) but none of them resulted in higher VOC than pure steam (360 mV from starting 220 mV). Results from Fourier transform infrared spectroscopy indicate that water vapour passivation is rather oxidation while hydrogen plays a significant supporting role in the process. Water vapour is able to passivate defects in the whole silicon volume, but its passivation effect is not strong enough to become an adequate alternative to the plasma hydrogenation with the best result of VOC ∼497 mV. On the other hand, it provides advantage of simplicity (no vacuum system and deionised water steam as the only input). Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1