Počet záznamů: 1
Attempt to prepare perovskite PZT at low temperatures using IBAD
- 1.
SYSNO ASEP 0469302 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Attempt to prepare perovskite PZT at low temperatures using IBAD Tvůrce(i) Vápenka, David (UFP-V) RID
Hlubuček, Jiří (UFP-V)
Horodyská, Petra (UFP-V)Číslo článku 101510M Zdroj.dok. Proceedings of SPIE 10151, Optics and Measurement International Conference 2016, OAM 2016 Proceedings, 10151. - Bellingham : SPIE, Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, 2016 / Kovačičinová J. - ISSN 0277-786X - ISBN 978-1-5106-0753-8 Poč.str. 5 s. Forma vydání Tištěná - P Akce OAM 2016, Optics and Measurement International Conference 2016 Datum konání 11.10.2016 - 14.10.2016 Místo konání Liberec Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova ferroelectric materials ; ion beams ; sputter deposition Vědní obor RIV JH - Keramika, žáruvzdorné materiály a skla CEP LO1206 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora UFP-V - RVO:61389021 UT WOS 000393154700022 EID SCOPUS 85012869239 DOI https://doi.org/10.1117/12.2257328 Anotace Lead zirconate titanate (Pb[ZrxTi1-x]O3 ) is well-known for his excellent ferroelectric, piezoelectric and electromechanical properties. These properties are closely related to the perovskite crystal structure of PZT. A common way to achieve thin film of perovskite PZT is to anneal the layer after deposition. The high annealing temperature (600 – 700°C) limits a set of usable substrates. To grow a thin layer of perovskite PZT at reduced temperature it is necessary to add crystallization energy to the system by another way. In this article are presented some results of using ion beam sputtering system (IBS) with ion beam assistance (IBAD) to growth perovskite PZT layer at reduced temperature. This process is very complicated and the resulting layer properties are strongly influenced by deposition parameters (ions energy, chemical composition of the atmosphere in the sputtering chamber etc.). We achieved partial success when pyrochlore crystal structure of PZT was grown at reduced substrate temperature (110°C) (at this temperatures are the PZT layers usually amorphous) Pracoviště Ústav fyziky plazmatu Kontakt Vladimíra Kebza, kebza@ipp.cas.cz, Tel.: 266 052 975 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1