Growth of graphene from C/Co/SiO.sub.2./sub./Si structure

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO ASEP	0463609
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Growth of graphene from C/Co/SiO₂/Si structure
Tvůrce(i)	Macháč, P. (CZ) Bláhová, V. (CZ) Cichoň, Stanislav (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Materials Today: Proceedings. Vol. 3S. - Amsterdam : Elsevier Ltd., 2016 - ISSN 2214-7853
Rozsah stran	s203-s208
Poč.str.	6 s.
Forma vydání	Online - E
Akce	International Conference on Diamond and Carbon Materials (DCM) /25./
Datum konání	07.09.2014 - 11.09.2014
Místo konání	Madrid
Země	ES - Španělsko
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Klíč. slova	cobal ; graphen ; Raman spectroscopy ; transfer-free method
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	NV15-33018A GA MZd - Ministerstvo zdravotnictví
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
UT WOS	000373068000012
EID SCOPUS	84963546137
DOI	10.1016/j.matpr.2016.02.034
Anotace	This paper deals with preparation of graphene using so-called transfer-free method. Graphene layers have been prepared from the structures C/Co/SiO2/Si together with several modifications. The said method has been used to prepare bi-layer graphene, which can be for example used for construction of unipolar transistors.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2017

Počet záznamů: 1