Počet záznamů: 1  

Low-frequency noise measurements used for quality assessment of GaSb based laser diodes prepared by molecular beam epitaxy

  1. 1.
    SYSNO ASEP0450842
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevLow-frequency noise measurements used for quality assessment of GaSb based laser diodes prepared by molecular beam epitaxy
    Tvůrce(i) Chobola, Z. (CZ)
    Luňák, M. (CZ)
    Vaněk, J. (CZ)
    Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Kusák, I. (CZ)
    Zdroj.dok.Journal of Electrical Engineering - ISSN 0013-578X
    Roč. 66, č. 4 (2015), s. 226-230
    Poč.str.5 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovasilicon solar-cells ; electrical noise ; tool
    Vědní obor RIVJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000362388800006
    EID SCOPUS84940853519
    DOI10.2478/jee-2015-0036
    AnotaceThe paper reports on a non-destructive method of reliability prediction for semiconductor lasers diodes GaSb based VCSE (vertical cavity surface emitting). Transport and noise characteristic of forward biased were measured in order to evaluate the new MBE (molecular beam epitaxy) technology. The results demonstrate that the lasers prepared by new MBE technology have higher quality than the samples prepared by using the classic MBE technology.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2016
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.