Počet záznamů: 1
Low-frequency noise measurements used for quality assessment of GaSb based laser diodes prepared by molecular beam epitaxy
- 1.
SYSNO ASEP 0450842 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Low-frequency noise measurements used for quality assessment of GaSb based laser diodes prepared by molecular beam epitaxy Tvůrce(i) Chobola, Z. (CZ)
Luňák, M. (CZ)
Vaněk, J. (CZ)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kusák, I. (CZ)Zdroj.dok. Journal of Electrical Engineering - ISSN 0013-578X
Roč. 66, č. 4 (2015), s. 226-230Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova silicon solar-cells ; electrical noise ; tool Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000362388800006 EID SCOPUS 84940853519 DOI 10.2478/jee-2015-0036 Anotace The paper reports on a non-destructive method of reliability prediction for semiconductor lasers diodes GaSb based VCSE (vertical cavity surface emitting). Transport and noise characteristic of forward biased were measured in order to evaluate the new MBE (molecular beam epitaxy) technology. The results demonstrate that the lasers prepared by new MBE technology have higher quality than the samples prepared by using the classic MBE technology. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2016
Počet záznamů: 1