Počet záznamů: 1
Lattice-mismatched epitaxial growth on porous III-V substrates
- 1.
SYSNO ASEP 0437411 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Lattice-mismatched epitaxial growth on porous III-V substrates Tvůrce(i) Grym, Jan (URE-Y)
Gladkov, Petar (URE-Y)
Vaniš, Jan (URE-Y) RID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pacherová, Oliva (FZU-D) RID, ORCID
Dimitrakopulos, G.P. (GR)
Bazioti, C. (GR)
Komninou, Ph. (GR)Celkový počet autorů 9 Zdroj.dok. ECS Transactions, 58. - Pennington : Electrochemical Society, 2013 - ISSN 1938-5862 Rozsah stran s. 53-60 Poč.str. 8 s. Forma vydání Tištěná - P Akce 224th ECS Meeting Datum konání 27.10.2013-28.10.2013 Místo konání San Francisco Země US - Spojené státy americké Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova Epitaxial growth ; Gallium alloys ; Metallorganic vapor phase epitaxy Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika Vědní obor RIV – spolupráce Fyzikální ústav - Fyzika pevných látek a magnetismus Institucionální podpora URE-Y - RVO:67985882 ; FZU-D - RVO:68378271 EID SCOPUS 84904875360 DOI 10.1149/05808.0053ecst Anotace We report on the electrochemical preparation of GaAs porous substrates, their heat treatment in As rich environment and their overgrowth by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). The goal is to demonstrate that porous substrates are capable of accommodating strain at the interface with lattice mismatched In(x)Ga(1-x)As layers Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1