Room-temperature antiferromagnetic memory resistor

Martí, Xavier; Fina, I.; Frontera, C.; Liu, J.; Wadley, P.; He, P.; Paull, R.J.; Clarkson, J.D.; Kudrnovský, Josef; Turek, Ilja; Kuneš, Jan; Yi, D.; Chu, J.-H.; Nelson, C.T.; You, L.; Arenholz, E.; Salahuddin, S.; Fontcuberta, J.; Jungwirth, Tomáš; Ramesh, R.

doi:https://dx.doi.org/10.1038/nmat3861

Počet záznamů: 1

Room-temperature antiferromagnetic memory resistor

1.

SYSNO ASEP	0434235
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Room-temperature antiferromagnetic memory resistor
Tvůrce(i)	Martí, Xavier (FZU-D)_{RID, ORCID} Fina, I. (ES) Frontera, C. (ES) Liu, J. (US) Wadley, P. (GB) He, P. (US) Paull, R.J. (US) Clarkson, J.D. (US) Kudrnovský, Josef (FZU-D)_{RID, ORCID} Turek, Ilja (UFM-A)_{RID, ORCID} Kuneš, Jan (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Yi, D. (US) Chu, J.-H. (US) Nelson, C.T. (US) You, L. (US) Arenholz, E. (US) Salahuddin, S. (US) Fontcuberta, J. (ES) Jungwirth, Tomáš (FZU-D)_{RID, ORCID} Ramesh, R. (US)
Celkový počet autorů	20
Zdroj.dok.	Nature Materials. - : Nature Publishing Group - ISSN 1476-1122 Roč. 13, č. 4 (2014), s. 367-374
Poč.str.	8 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	GB - Velká Británie
Klíč. slova	spintronics ; antiferromagnets ; memories
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	GAP204/11/1228 GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271 ; UFM-A - RVO:68081723
UT WOS	000333397100021
EID SCOPUS	8489704005
DOI	https://doi.org/10.1038/nmat3861
Anotace	We report a room-temperature bistable antiferromagnetic memory which produces negligible stray fields and is insensitive to strong magnetic fields.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2015

Počet záznamů: 1