Počet záznamů: 1
The effect of the lower and upper interface on properties of InAs/GaAs quantum dots
- 1.
SYSNO ASEP 0433917 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název The effect of the lower and upper interface on properties of InAs/GaAs quantum dots Tvůrce(i) Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kubištová, Jana (FZU-D) RID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Komninou, Ph. (GR)
Kioseoglou, J. (GR)
Florini, N. (GR)
Drbohlav, Ivo (FZU-D) RID, ORCIDZdroj.dok. iib2013 Book of Abstracts. - Thessaloniki : Aristotle University of Thessaloniki, 2013 / Komninou Ph. Poč.str. 1 s. Akce International Conference on Intergranular and Interphase Boundaries in Materials /14./ Datum konání 23.06.2013-28.06.2013 Místo konání Halkidiki Země GR - Řecko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GR - Řecko Klíč. slova interface ; quantum dot ; MOVPE Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR 7AMB12GR034 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace The influence of lower and upper interface on InAs/GaAs quantum dot formation, shape and size was investigated on samples prepared by low pressure metal organic vapour phase epitaxy. A good epitaxial surface planarity is required for QD formation with high QD density and narrow size distribution. Therefore the growth conditions of QD buffer layer are very important. The QD size distribution and homogeneity was improved when the growth rate of the buffer layer was twice decreased. The upper QD interface is formed during the covering process. InAs/GaAs quantum dots were covered by GaAs or by GaAsSb. In the case of GaAs covering layer, the interface between InAs and GaAs forms InGaAs layer with gradual decrease of In concentration. The presence of Sb in covering layer helps to form very sharp interface between InAs and covering layer. GaAsSb also prevents dissolution of QDs during covering process, which can significantly influence QD PL properties. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1