InGaN/GaN multiple quantum well for fast scintillation application: radioluminescence and photoluminescence study

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0433511
Název	InGaN/GaN multiple quantum well for fast scintillation application: radioluminescence and photoluminescence study
Tvůrce(i)	Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Nikl, Martin (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pacherová, Oliva (FZU-D)_{RID, ORCID} Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Brůža, P. (CZ) Pánek, D. (CZ) Foltynski, B. (DE) Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Beitlerová, Alena (FZU-D)_{RID, ORCID} Heuken, M. (DE)
Zdroj.dok.	Nanotechnology. Roč. 25, č. 45 (2014), "455501-1"-"455501-6". - : Institute of Physics Publishing
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	TA01011017 GA TA ČR - Technologická agentura ČR
	LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	GB
Klíč.slova	III-nitrides * scintilator * radioluminescence
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0237717

Počet záznamů: 1