Počet záznamů: 1
Měření záchytu světla pomocí Ramanovy spektroskopie v tenkých vrstvách křemíku
- 1.
SYSNO ASEP 0427287 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Měření záchytu světla pomocí Ramanovy spektroskopie v tenkých vrstvách křemíku Tvůrce(i) Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Ganzerová, Kristína (FZU-D) RID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Sborník 8. české fotovoltaické konference. - Rožnov pod Radhoštěm : Czech RE Agency, o.p.s, 2013 Poč.str. 1 s. Forma vydání Nosič - C Akce Česká fotovoltaická konference /8./ Datum konání 14.05.2013-15.05.2013 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce CST Jazyk dok. cze - čeština Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova Raman ; microcrystalline silicon, ; atomic force microscopy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP FR-TI2/736 GA MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu GA13-25747S GA ČR - Grantová agentura ČR GA13-12386S GA ČR - Grantová agentura ČR LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Intenzita Ramanova pásu je přímo úměrná interakční dráze fotonu. Tedy intenzita pásu se zvýší, je-li dráha fotonu ve vrstvě prodloužena. Tento efekt lze pozorovat pouze pro fotony z blízké infračervené oblasti, proto jsme pro buzení Ramanova spektra použili laser o vlnové délce 785 nm. Zásadní výhodou je i fakt, že rozptýlený foton v sobě nese informaci, v kterém materiálu interakce proběhla. Můžeme proto selektivně měřit dráhu fotonu v amorfní/ mikrokrystalické části článku. Překlad anotace The absolute intensity of Raman spectra excited by 785 nm laser is strongly affected by scattering in the rough substrate surface. This effect is caused by rough substrate, where photons are scattered under wide angles, then reflected in layer, resulting in extended path in absorbing material, see Figure 1. Mean photon path length in sample can be even several times increased by light trapping in the layer. As the probability of Raman interaction is directly proportional to the mean photon paths in the layer, this path extension is directly proportional to Raman intensity. Therefore, Raman spectroscopy measured at 785 nm excitation wavelength may be used to determine light trapping in µc-Si layer. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1