Počet záznamů: 1
Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates
- 1.0398725 - FZÚ 2014 CZ eng A - Abstrakt
Hulicius, Eduard - Komninou, Ph. - Gladkov, Petar - Karakostas, Th. - Pangrác, Jiří
Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates.
NANOCON 2013. 5th International Conference Proceedings. Ostrava: TANGER Ltd, 2013. s. 75-75. ISBN 978-80-87294-44-4.
[NANOCON 2013. International Conference /5./. 16.10.2013-18.10.2013, Brno]
Grant CEP: GA ČR GA13-15286S; GA MŠMT 7AMB12GR034; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Institucionální podpora: RVO:68378271 ; RVO:67985882
Klíčová slova: InAs/GaAs heterostructures * MOVPE * structural properties * TEM characterization * PL characterization
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0226162
Počet záznamů: 1