Počet záznamů: 1
Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates
SYS 0398725 LBL 02615^^^^^2200409^^^450 005 20240103203242.9 100 $a 20140211d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a CZ 200 1-
$a Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates 215 $a 1 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0397859 $1 010 $a 978-80-87294-44-4 $1 200 1 $a NANOCON 2013. 5th International Conference Proceedings $v S. 75-75 $1 210 $a Ostrava $c TANGER Ltd $d 2013 610 0-
$a InAs/GaAs heterostructures 610 0-
$a MOVPE 610 0-
$a structural properties 610 0-
$a TEM characterization 610 0-
$a PL characterization 700 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0219559 $a Komninou $b Ph. $y GR $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0101660 $a Gladkov $b Petar $i Příprava a charakterizace nanomateriálů $j Synthesis and Characterization of Nanomaterials $p URE-Y $4 070 $T Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0235641 $a Karakostas $b Th. $y GR $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Počet záznamů: 1