Počet záznamů: 1
Microcrystalline silicon thin films studied by photoconductive atomic force microscopy
- 1.
SYSNO ASEP 0390947 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Microcrystalline silicon thin films studied by photoconductive atomic force microscopy Tvůrce(i) Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. ICANS 24. Program and Abstracts Book. - Nara, 2011
S. 233-233Poč.str. 1 s. Akce International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors /24./ - ICANS 24 Datum konání 21.08.2011-26.08.2011 Místo konání Nara Země JP - Japonsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. JP - Japonsko Klíč. slova amorphous silicon ; nanocrystalline silicon ; thin films ; atomic force microscopy ; photoconductivity Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Anotace Local currents measured under standard conductive atomic force microscopy (C-AFM) conditions on microcrystalline silicon (uc-Si:H) thin films were studied. It was shown that the AFM detection diode illuminating the AFM cantilever (see the figure on the right side) 100× enhanced the current flows through the photosensitive uc-Si:H layer. The local current map and current–voltage characteristics were measured under dark conditions. This study enables mapping of both the dark current and photocurrent. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2013
Počet záznamů: 1