Počet záznamů: 1
Time evolution of surface defect states in hydrogenated amorphous silicon studied by photothermal and photocurrent spectroscopy and optical simulation
- 1.
SYSNO ASEP 0386379 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Time evolution of surface defect states in hydrogenated amorphous silicon studied by photothermal and photocurrent spectroscopy and optical simulation Tvůrce(i) Holovský, Jakub (FZU-D) RID, ORCID
Schmid, M. (CH)
Stückelberger, M. (CH)
Despeisse, M. (CH)
Ballif, C. (CH)
Poruba, Aleš (FZU-D) RID
Vaněček, Milan (FZU-D) RIDZdroj.dok. Journal of Non-Crystalline Solids. - : Elsevier - ISSN 0022-3093
Roč. 358, č. 17 (2012), s. 2035-2038Poč.str. 38 s. Akce International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS) /24./ Datum konání 21.08.2011-26.08.2011 Místo konání Nara Země JP - Japonsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova amorphous silicon ; photocurrent spectroscopy ; surface states Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP 7E09057 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000310394700025 DOI https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.031 Anotace The time evolution of surface defect density and width of space charge region in thin layer of amorphous silicon is observed experimentally by Fourier transform photocurrent spectroscopy. This work review the assumption that photocurrent is insensitive to surface defects for samples thinner that 1500nm. We show that correct evaluation based on simple optical model comprising layers representing surface defects and layers representing space charge region with reduced collection allows obtaining same results as from photothermal deflection spectroscopy. Our main approach is the comparison of photocurrent or photothermal deflection spectra measured in absorptance/transmittance mode from layer and substrate side of the thin film. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2013
Počet záznamů: 1