Low noise as a diagnostic tool for GaSb based laser diodes prepared by Molecular Beam Epitaxy

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO ASEP	0384214
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Low noise as a diagnostic tool for GaSb based laser diodes prepared by Molecular Beam Epitaxy
Tvůrce(i)	Luňák, M. (CZ) Chobola, Z. (CZ) Vaněk, J. (CZ) Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	28th International Conference on microelectronics. - New York : IEEE, 2012 - ISBN 978-1-4673-0238-8
Rozsah stran	s. 343-346
Poč.str.	4 s.
Forma vydání	Online - E
Akce	International Conference on Microelectronics (MIEL) /28./
Datum konání	13.05.2012-16.05.2012
Místo konání	Niš
Země	RS - Srbsko
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	noise ; spectroscopy ; laser
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
UT WOS	000309119600073
Anotace	Trasnport and noise characteristics of forward biased semiconductor lasers diodes GaSb based VCSE (Vertical Cavity Surface Emitting) laser were prepared by MBE (Molecular Beam Epitaxy) were measured in order to evaluate the new MBE technology.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2013

Počet záznamů: 1