Počet záznamů: 1
Room temperature particle detectors based on indium phosphide
- 1.
SYSNO ASEP 0349841 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Room temperature particle detectors based on indium phosphide Tvůrce(i) Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Grym, Jan (URE-Y)
Žďánský, Karel (URE-Y)
Pekárek, Ladislav (URE-Y)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. - : Elsevier - ISSN 0168-9002
Roč. 612, č. 2 (2010), s. 334-337Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova Particle detector ; Semi-insulating InP ; High purity InP layers Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP KJB200670901 GA AV ČR - Akademie věd KAN401220801 GA AV ČR - Akademie věd GP102/08/P617 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) UT WOS 000274135100014 DOI 10.1016/j.nima.2009.10.172 Anotace A study of electrical properties and detection performance of particle detectors based on bulk InP and semiconducting LPE layers operated at room temperature is presented. Bulk detectors were fabricated on semi-insulating InP crystals grown by liquid encapsulated Czochralski (LEC) technique. High purity InP layers of both n- and p-type conductivity were used to fabricate detector structures with p–n junction. The detection performance of particle detectors was measured by pulse-height spectra with alpha particles emitted from 241Am source at room temperature. Better noise properties were achieved for detectors with p–n junctions due to better quality contacts on p-type layers. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1