Počet záznamů: 1  

Deposition of Germanium Nanowires from Hexamethyldigermane: Influence of the Substrate Pretreatment

  1. 1.
    SYSNO ASEP0346428
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevDeposition of Germanium Nanowires from Hexamethyldigermane: Influence of the Substrate Pretreatment
    Tvůrce(i) Dřínek, Vladislav (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
    Fajgar, Radek (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
    Klementová, Mariana (UACH-T) RID, SAI, ORCID
    Šubrt, Jan (UACH-T) SAI, RID
    Zdroj.dok.Journal of the Electrochemical Society. - : Electrochemical Society - ISSN 0013-4651
    Roč. 157, č. 10 (2010), K218-K222
    Poč.str.5 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovagermanium nanovires ; chemical vapor deposition ; hexamethyldigermane
    Vědní obor RIVCF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
    CEPGA203/09/1088 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z40720504 - UCHP-M (2005-2011)
    AV0Z40320502 - UACH-T (2005-2011)
    UT WOS000281306900094
    DOI10.1149/1.3476288
    AnotaceLow Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) of hexamethyldigermane (GeMe3)2 was used for synthesis of Germanium Nanowires (GeNWs). Pressure during the deposition process was maintained at 90-100 Pa and temperature fixed at 490 °C. GeNWs of several nanometers in diameter and a few microns in length were deposited on various substrates - stainless steel, Fe, Mo, Ta, W, Si, and SiO2. Si and SiO2 substrates were modified by sputtering Ge to promote GeNW growth. Influence of surface pretreatment (surface roughness or Ge sputtering) is discussed in respect to the previous published theory of intermetalic solution. The results conclude that another mechanism should be taken into account – sticking of oncoming Ge based fragments, clusters etc. on the substrate surface, their nucleation and formation of Ge seeds appropriate for initiation of the GeNW growth. Samples were studied by SEM with EDX, (HR)TEM, FTIR and Raman spectroscopy.
    PracovištěÚstav chemických procesů
    KontaktEva Jirsová, jirsova@icpf.cas.cz, Tel.: 220 390 227
    Rok sběru2011
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.