Počet záznamů: 1
GROWTH OF InP CRYSTALS WITH RARE-EARTH ELEMENTS
- 1.
SYSNO ASEP 0346104 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název GROWTH OF InP CRYSTALS WITH RARE-EARTH ELEMENTS Tvůrce(i) Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Grym, Jan (URE-Y)
Žďánský, Karel (URE-Y)
Pekárek, Ladislav (URE-Y)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RIDZdroj.dok. 2009 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM). - NEW YORK : IEE, 2009 - ISSN 1092-8669 - ISBN 978-1-4244-3432-9 Rozsah stran s. 91-93 Poč.str. 3 s. Akce 21st International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Datum konání 10.05.2009-14.05.2009 Místo konání Newport Beach Země US - Spojené státy americké Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova Rare-earth elements ; Crystals growth ; InP Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP KJB200670901 GA AV ČR - Akademie věd GP102/08/P617 GA ČR - Grantová agentura ČR KAN400670651 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) UT WOS 000270539400026 Anotace We report on the influence of rare earth (RE) elements (Pr, Er, and Dy) addition during vertical Bridgman low pressure synthesis on the properties of InP crystals. The temperature dependent Hall measurement and low temperature photoluminescence (PL) spectroscopy were employed to study the changes in electrical and optical properties of the crystals. The observed changes are attributed to the gettering effect of REs caused by the high affinity of REs towards shallow impurities in InP. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1