Photoemission from alfa and beta phases of the GaAs(001)-c(4x4) surface

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO ASEP	0340742
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Photoemission from alfa and beta phases of the GaAs(001)-c(4x4) surface
Tvůrce(i)	Jiříček, Petr (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Cukr, Miroslav (FZU-D) Bartoš, Igor (FZU-D)_{RID, ORCID} Sadowski, J. (PL)
Zdroj.dok.	Surface Science. - : Elsevier - ISSN 0039-6028 Roč. 603, č. 20 (2009), s. 3088-3093
Poč.str.	7 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Klíč. slova	gallium arsenide ; angle resolved photoemission ; synchrotron radiation photoelectron spectroscopy ; molecular beam epitaxy ; surface core level shift
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	GA202/07/0601 GA ČR - Grantová agentura ČR
	IAA100100628 GA AV ČR - Akademie věd
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
UT WOS	000271179600009
DOI	10.1016/j.susc.2009.08.021
Anotace	The α and β phases of the GaAs(001)-c(4x4) surface were prepared by molecular beam epitaxy. The properties of these phases were studied by UPS and XPS using synchrotron radiation as an excitation source.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2010

Počet záznamů: 1