Počet záznamů: 1
Secondary electron contrast in doped semiconductor with presence of a surface ad-layer
- 1.
SYSNO ASEP 0335263 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Secondary electron contrast in doped semiconductor with presence of a surface ad-layer Tvůrce(i) Mika, Filip (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Hovorka, Miloš (UPT-D)
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCIDCelkový počet autorů 3 Zdroj.dok. MC 2009 - Microscopy Conference: First Joint Meeting of Dreiländertagung and Multinational Conference on Microscopy. - Graz : Verlag der Technischen Universität, 2009 - ISBN 978-3-85125-062-6 Rozsah stran vol. 1: 199-200 Poč.str. 2 s. Akce MC 2009 - Joint Meeting of Dreiländertagung and Multinational Congress on Microscopy /9./ Datum konání 30.08.2009-04.09.2009 Místo konání Graz Země AT - Rakousko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. AT - Rakousko Klíč. slova dopant contrast ; secondary electrons ; semiconductor Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GP102/09/P543 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA100650803 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) Anotace The scanning electron microscopy (SEM) has proven itself efficient for determining dopant concentrations in semiconductors. Image contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Multiple studies have revealed quantitative relations between the image contrast and dopant concentration. However, further examination shows the dopant contrast level of low reproducibility and dependent on additional factors like the primary electron dose, varying energy and angular distributions of the SE emission and also presence of an ad-layer on the semiconductor surface. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2010
Počet záznamů: 1