Počet záznamů: 1  

The influence of doping on the Raman intensity of the D band in single walled carbon nanotubes

  1. 1.
    SYSNO ASEP0334512
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevThe influence of doping on the Raman intensity of the D band in single walled carbon nanotubes
    Tvůrce(i) Kalbáč, Martin (UFCH-W) RID, ORCID
    Kavan, Ladislav (UFCH-W) RID, ORCID
    Zdroj.dok.Carbon. - : Elsevier - ISSN 0008-6223
    Roč. 48, č. 3 (2010), s. 832-838
    Poč.str.7 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovaRaman spectroscopy ; single walled carbon nanotubes ; nanocomposites
    Vědní obor RIVCG - Elektrochemie
    CEPGC203/07/J067 GA ČR - Grantová agentura ČR
    IAA400400911 GA AV ČR - Akademie věd
    IAA400400804 GA AV ČR - Akademie věd
    KAN200100801 GA AV ČR - Akademie věd
    LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    CEZAV0Z40400503 - UFCH-W (2005-2011)
    UT WOS000274004700030
    DOI10.1016/j.carbon.2009.10.036
    AnotaceThe D band in the Raman spectra of single walled carbon nanotubes is considered as an indicator of defects in carbon nanotubes. However, its dependence on charge-transfer doping is generally ignored, despite the studied samples are often naturally doped. We studied the intensity of the D band, the ratio of the intensities of the D band and TG band (ID/ITG) and the ratio of the intensities of the D and G0 band (ID/IG’) in the Raman spectra of the single walled carbon nanotubes in dependence on a doping level. We tested two laser excitation energies viz 2.41 and 1.92 eV, which are in resonance with semiconducting and metallic tubes, respectively in our sample. It is shown that the D band intensity is significantly attenuated in doped carbon nanotubes sample for both semiconducting and metallic tubes. The ID/ITG ratio is weakly dependent on doping for semiconducting tubes but for metallic tubes the ID/ITG ratio exhibits strong dependence on doping.
    PracovištěÚstav fyzikální chemie J.Heyrovského
    KontaktMichaela Knapová, michaela.knapova@jh-inst.cas.cz, Tel.: 266 053 196
    Rok sběru2011
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.