Počet záznamů: 1
Lithographically and electrically controlled strain effects on AMR in (Ga,Mn)As
- 1.
SYSNO ASEP 0312859 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Lithographically and electrically controlled strain effects on AMR in (Ga,Mn)As Překlad názvu Litograficky a elektricky ovladane vlivy mechanickych deformaci na AMR v (Ga,Mn)As Tvůrce(i) De Ranieri, E. (GB)
Rushforth, A.W. (GB)
Výborný, Karel (FZU-D) RID, ORCID
Rana, U. (GB)
Ahmad, E. (GB)
Campion, R. P. (GB)
Foxon, C. T. (GB)
Gallagher, B. L. (GB)
Irvine, A.C. (GB)
Wunderlich, J. (GB)
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCIDZdroj.dok. New Journal of Physics. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 1367-2630
Roč. 10, č. 6 (2008), 065003/1-065003/19Poč.str. 19 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova anomalous Hall effect ; Keldysh formalism ; Rashba system Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KJB100100802 GA AV ČR - Akademie věd KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd GEFON/06/E002 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000256657900001 DOI https://doi.org/10.1088/1367-2630/10/6/065003 Anotace We demonstrate experimentally that lithographically or electrically induced strain variations can produce crystalline AMR components which are larger than the crystalline AMR and a significant fraction of the total AMR of the unprocessed (Ga,Mn)As material. Complete phenomenological AMR expressions are derived and new higher order terms are reported in experiments. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2009
Počet záznamů: 1