Dva základní teoretické modely elektronové magnetorezistence elektricky vodivé mezoskopické tenké vrstvy
1.
SYSNO ASEP
0312472
Druh ASEP
J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV
J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J
Ostatní články
Název
Dva základní teoretické modely elektronové magnetorezistence elektricky vodivé mezoskopické tenké vrstvy
Překlad názvu
Two basic theoretical models of the electronic magnetoresistance of an electrically conductive mesoscopic thin layer
Tvůrce(i)
Pospíšil, Jaroslav (FZU-D) Pluháček, F. (CZ)
Zdroj.dok.
Jemná mechanika a optika. - : Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
- ISSN 0447-6441
Roč. 53, 7-8 (2008), 204-208
Poč.str.
5 s.
Jazyk dok.
cze - čeština
Země vyd.
CZ - Česká republika
Klíč. slova
elektronic magnetoresistance ; mesoscopic layer
Vědní obor RIV
BH - Optika, masery a lasery
CEP
KAN301370701 GA AV ČR - Akademie věd
CEZ
AV0Z10100522 - FZU-D (2005-2011)
Anotace
V tomto článku je diskutován vliv homogenního magnetostatického pole na přenos elektronů v homogenní elektricky vodivé kovové nebo polovodičové mezoskopické tenké vrstvě.
Překlad anotace
The influence of a homogeneous megnetostatic field to the transfer of electrons in an homogeneous electrically conductive metallic or semiconductors mesoscopic thin layer is discussed in this article.
