Počet záznamů: 1
Electronic structure of indium-tin alloys
- 1.
SYSNO ASEP 0307353 Druh ASEP K - Konferenční příspěvek (lokální konf.) Zařazení RIV Stať ve sborníku Název Electronic structure of indium-tin alloys Překlad názvu Elektronová struktura slitin india a cínu Tvůrce(i) Všianská, Monika (UFM-A)
Legut, Dominik (UFM-A)
Šob, Mojmír (UFM-A) RID, ORCIDZdroj.dok. VII. pracovní setkání fyzikálních chemiků a elektrochemiků. - Brno : Masarykova univerzita, 2007 / Trnková L. ; Janderka P. ; Kizek R. - ISBN 978-80-210-4235-3
S. 135-137Poč.str. 3 s. Akce Pracovní setkání fyzikálních chemiků a elektrochemiků /7./ Datum konání 29.01.2007-30.01.2007 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce CST Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova electronic structure ; gamma-tin ; indium-tin alloys Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA1041302 GA AV ČR - Akademie věd OC 147 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GD106/05/H008 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20410507 - UFM-A (2005-2011) Anotace The In-Sn system is interesting due to the existence of the simple hexagonal (sh) structure for compositions from 75 to 87 at% Sn at 25 ºC and from 73 to 85 at% Sn at -150 ºC. These alloys are usually referred to as gamma-Sn. Here we study the electronic structure and total energy of gamma-Sn with the help of virtual crystal approximation and demonstrate that sh structure has the lowest energy in the interval of existence of gamma-tin. Pracoviště Ústav fyziky materiálu Kontakt Yvonna Šrámková, sramkova@ipm.cz, Tel.: 532 290 485 Rok sběru 2008
Počet záznamů: 1