InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0306889
Název	InAs/GaAs quantum dot structures covered by InGaAs strain reducing layer characterized by photomodulated reflectance
Překlad názvu	Struktury s InAs/GaAs kvantovými tečkami pokryté InGaAs pnutí redukující vrstvou charakterizované fotomodulovanou reflektancí
Tvůrce(i)	Hazdra, P. (CZ) Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Atef, M. (CZ) Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 147, - (2008), s. 175-178. - : Elsevier
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	IAA100100719 GA AV ČR - Akademie věd
	KJB101630601 GA AV ČR - Akademie věd
	GA202/06/0718 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	CH
Klíč.slova	optical properties * MOVPE * indium arsenide * gallium arsenide * quantum dots
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0159792

Počet záznamů: 1